I progetti in studio intendono sviluppare una nuova tecnologia di produzione di celle fotovoltaiche che abbiano un assorbitore in Cu(InGa)Se2 in sostituzione del silicio cristallino bulk. Il Cu(InGa)Se2 essendo un semiconduttore a gap diretto ha potenzialità molto superiori al silicio come riduzione del pay back energetico , per la sua possibilità di ottenere elevate efficienze con un adatta architettura del dispositivo, per la possibilità di essere depositato su supporti facilmente integrabili nell’edilizia.
Allo scopo si vuole industrializzare un tecnica di deposizione di film sottili fin ora utilizzata solo per lo studio di materiali complessi : La Pulsed Electrons Deposition (PED) . La nuova apparecchiatura potrà semplificare il processo di produzione dei dispositivi e principalmente abbatterne i costi che oggi limitano la diffusione di questi dispositivi. L’applicazione della PED non si limita alla deposizione dei calcogenuri ma è una tecnica applicabile alla ablazioni di molti materiali complessi.

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Europe/Rome
INFN - Laboratori Nazionali di Frascati
Aula Bruno Touschek
Via Enrico Fermi, 40 00044 Frascati (Roma)
Local Organizing Committee: M. Boscolo M. Legramante Secretariat: Maddalena Legramante tel. 0039 06 94032791 fax 0039 06 94032900 maddalena.legramante@lnf.infn.it