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- Stato dei processi in corso (Maurizio, Alvise, Elisa, discussione)Stato dei processi in corso (Maurizio, Alvise, Elisa).
- Lista di misure da fare in Laboratorio sui sensori irraggiati (Alessandro La R., discussione)
- Bump-bonding (IZM, Selex) (Gianluca)
- Sensori in test a Genova (Claudia, Alessandro R.)
- Update sul set-up laser (Giuseppe)
- Presentazioni a conferenze (Cinzia)
- A.o.B.
Maurizio informa che il processo in corso con FE-I3 devices è irreparabilmente perso a causa di un incidente (sich!). E' stato immediatamente rimesso in produzione un batch con lo stesso processo, ma sono stati persi 2 mesi di lavoro, e per il completamento occorreranno 4 mesi. Tenuto conto del periodo festivo, il completamento del lotto arriverà alla fine dell'anno. Prima dell'incidente il secondo set di fori aveva evidenziato problemi di disallineamento di ~9µm. Sono stati studiati accorgimenti che permettono di riportarlo a pochi µm. Il lotto FE-I3 aveva avuto problemi di fragilità: erano rimasti 6 wafer da 10 di partenza. Sono state prese precauzioni per migliorare il problema di fragilità. Anche il problema della tenuta delle membrane sembra essere risolto.Lista di misure da fare in Laboratorio sui sensori irraggiati (Alessandro La. R., Gian-Franco/Marco)
Il lotto di FE-I4 doppia faccia sta procedendo con 10 + 10 wafer, rispettivamente da 200µm e 230µm. Il completamento è previsto per Novembre.
Action: per il periodo da adesso alla prossima riunione di fine Agosto Maurizio, Alvise o Elisa invieranno settimanalmente (il Venerdì) un breve stao dei processi in corso.
Alessandro presenta la lista di misure per la qualifica dei sensori in laboratorio che intende fare al CERN. La lista è:
- IV scan: to measure the leakage current and to check for sensor damage and/or HV shorts during stages of the assembly; the IV-scans are performed at room temperature for good comparability and at the desired operating temperature.Informazioni di cui sopra sono disponibili sulla wikipage:
- Monleak scan: to measure of each pixel leakage current to look for excess due to localized earlier sensor breakdown;
- Threshold and TOT tuning: to ensure homogenous response to injected charges;
Minimal operational threshold: to study the influence of the sensor capacitance on the minimal threshold.
- Thresholds scan: to measure the threshold and noise of each pixel.
- Crosstalk scan: to measure the cross-talk fraction and detect bump defects resulting in increased capacitive coupling between pixels;
- Time-walk scan: to measure the relationship between the injected charge and the preamplifier response time;
- In-time Threshold scan: to measure the effective threshold including timing requirements.
- Source scan – self triggered (gamma: Am241 and Cd109): to calibrate the detectors and to identify pixels that don’t answer to ionization because disconnected, merged, defective or badly tuned.
- Source scan – external trigger (beta: Sr90): to measure the efficiency of the sensor under test.
https://twiki.cern.ch/twiki/bin/view/Main/CernAtlasPixelSensorsRD
Per le misure con la sorgente beta viene usato un collimatore di circa 1mm di diametro e un 1cm di spessore. Genova si propone di eseguire il set di misure di cui sopra sui sensori irraggiati a Lubiana. Ulteriori misure saranno fatte dopo l'anealing.
Le misure che sono più facilmente comparabili con la simulazione sono quelle provenienti dal test-beta. (Gian-Franco) Infatti è pensabile di simulare il rilascio di carica lungo un segmento perpendicolare al rivelatore in una posizione definita X,Y. In questo caso vanno comparati dati del test beam (Landau) per le tracce in differenti posizione rispetto agli elettrodi.
Action: Andrea M. analizzerà le risposte in ToT dei sensori in funzione della posizione d'impatto della traccia nei dati dell'ultimo test-beam.
Bump-bonding (Nanni)
Nanni riporta che sono state fatte prime prove con bump-bonding alla Selex (MI-GE) con dummy sensori e FE-I4 fatti dalla CNM di Bacelona. Che le prime prove sono state solo parzialmente positive. Va modificata la temperatura del processo non potendo la macchina da flip-chip applicare la pressione sufficiente (15 kg) che sarebbe necessario scalando il numero di bumps da FE-I3 a FE-I4. Prima di fare l'ulteriore tentativo, la Selex sta acquisendo una testa per il flip-chip delle dimensioni corrette per il FE-I4 (quella usata ha dimensioni ridotte).
Il laser e il setup per le misure sui sensori è attivo. Prime misure di potenza sono mostrate. Giuseppe sta completando il setup e farà delle prove con i diodi ricevuti da Luciano. Il laser ha impulsi da 50ns.Presentazioni a conferenze..
Andrea M. presenterà a Pixel 2010 in Settembre i sensori 3D. In aggiunta a misure sul test beam presenterà le misure sui sensori irraggiati a Lubiana che intende fare le prossime settimane a Genova