I semiconduttori irraggiati, del gruppo 3/5, con ioni pesanti presentano vite medie dei portatori di carica di pochi picosecondi.
Le misure con la tecnica del pump and probe, con laser al femtosecondi, hanno messo in evidenza carica residua su tempi lunghi.
Le analisi dei dati mostrano effetti di soglia probabilmente legate alle vacanze presenti nei vari campioni.
Saranno presentati i risultati delle analisi e possibili nuovi metodi di indagine per capire le cariche residue.