VI Scuola Nazionale "Rivelatori ed Elettronica per Fisica delle Alte Energie, Astrofisica, Applicazioni Spaziali e Fisica Medica"
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Europe/Rome
Aula Villi (Laboratori Nazionali di Legnaro dell'INFN)
Aula Villi
Laboratori Nazionali di Legnaro dell'INFN
Dario Bisello(PD)
Descrizione
La Scuola, organizzata dalla Sezione di Padova dell’INFN, dal Dipartimento di Fisica e dal Dipartimento di Ingegneria dell'Informazione dell'Università di Padova, si svolgerà nel periodo 23-27 marzo 2015 presso i Laboratori Nazionali di Legnaro dell'INFN.
La Scuola è rivolta a dottorandi e specializzandi, giovani ricercatori, personale tecnico e giovani tecnologi, che operano nel campo della Fisica delle Alte Energie, dell'Astrofisica, delle Scienze e Tecnologie Spaziali, e della Fisica Medica presso Università, Enti di Ricerca ed Industrie, e che hanno interesse ad approfondire le tematiche riguardanti:
• rivelatori a semiconduttore ed elettronica, sia a livello di dispositivo che di sistema, e le loro applicazioni in Fisica delle Alte Energia, Astrofisica, Scienze e Tecnologie Spaziali, e Fisica Medica;
• gli effetti delle radiazioni su rivelatori a semiconduttore, dispositivi e componenti elettronici;
• gli apparati di irraggiamento italiani ed europei per applicazioni interdisciplinari.
Segreteria della Scuola a LEGNARO (tel. 0498068308)
Danno da radiazione macroscopico in rivelatori a semiconduttore
Relatore:
Carlo Civinini(FI)
Slides
10:40
break
4
Danno da radiazione macroscopico in rivelatori a semiconduttore
Relatore:
Mara Bruzzi(FI)
Slides
13:00
lunch
5
Rivelatori a pixel monolitici per Fisica delle Alte Energie
Relatore:
Dr.Walter Snoeys Snoeys(CERN)
Slides
6
Rivelatori a pixel con tecnologia CMOS ad alta tensione
Relatore:
Giovanni Darbo(GE)
Slides
15:40
break
7
Lfoundry: Industria Italiana di semiconduttori: settori di interesse, tecnologia, operatività e attività di punta
Relatore:
giovanni margutti(LFoundry srl)
8
Rivelatori CMOS a Pixel Attivi a LFoundry: flusso di produzione, fattori di qualità, e criticità da affrontare dalla progettazione alla realizzazione del dispositivo
Noise performance of 65 nm CMOS transistors exposed to ionizing radiation
Relatore:
Sig.naElisa Riceputi(Università degli Studi di Bergamo)
Slides
13:00
Lunch
26
A short review of INFN irradiation facilities
Relatore:
Dario Bisello(PD)
Slides
27
The SIRAD irradiation facility at LNL
Relatore:
Luca Silvestrin(PD)
Slides
28
High spatial resolution external beams
Relatore:
Lorenzo Giuntini(FI)
Slides
29
Irradiations at the INFN-LABEC facility in Florence
Relatore:
Lorenzo Giuntini(FI)
Slides
30
The “LABORATORIO ACCELERATORE
Relatore:
Francesco Di Capua(INFN)
Slides
15:40
Coffee break
31
Use of FPGAs in radiation areas in HEP experiments and colliders
Relatore:
tullio grassi(FNAL)
Slides
32
A new analog front-end for the HL_LHC of the CMS pixel detector
Relatore:
Ennio Monteil(TO)
Slides
33
Radiation hardness techniques for the digital parts of the chip pALPID
Relatore:
Serena Panati(TO)
Slides
34
Radiation effects on semiconductor laser diodes
Relatore:
Dr.Giulia Marcello(DIEE - Dipartimento di Ingegneria Elettrica ed Elettronica)
Slides
35
Common problems in time domain reflectometry attacked with the ramer-douglas-peucker algorithm: from radiation effects on optical fibres to coaxial level monitoring